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SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

no conforme

SI3585DV-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2A, 1.5A
rds activado (máximo) @ id, vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 600mV @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 3.2nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 830mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
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Número de pieza relacionado

IRF7904PBF
IXTL2X240N055T
IXTL2X240N055T
$0 $/pedazo
SI8904EDB-T2-E1
SI4542DY
SI4542DY
$0 $/pedazo
SH8M12TB1
SH8M12TB1
$0 $/pedazo
IRF7304QTRPBF
SI7901EDN-T1-GE3
MP6M12TCR
MP6M12TCR
$0 $/pedazo
VMM1000-01P
VMM1000-01P
$0 $/pedazo

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