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SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP

no conforme

SI3590DV-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.38985 -
6,000 $0.36455 -
15,000 $0.35190 -
30,000 $0.34500 -
300 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.5A, 1.7A
rds activado (máximo) @ id, vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4.5nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 830mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
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Número de pieza relacionado

NTJD4152PT1G
NTJD4152PT1G
$0 $/pedazo
SI5908DC-T1-GE3
CSD88599Q5DC
MCH6604-TL-E
MCH6604-TL-E
$0 $/pedazo
FDY2000PZ
DMN3055LFDBQ-13

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