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SI3900DV-T1-GE3

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SI3900DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

compliant

SI3900DV-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2A
rds activado (máximo) @ id, vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 830mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
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Número de pieza relacionado

DMC2710UDWQ-13
MC7252KDW-TP
SISF20DN-T1-GE3
SH8K10SGZETB
PMDPB30XN,115
CSD83325LT
CSD83325LT
$0 $/pedazo
SIZF928DT-T1-GE3
QH8JC5TCR
QH8JC5TCR
$0 $/pedazo
DMG6601LVT-7

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