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SI3911DV-T1-E3

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SI3911DV-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP

no conforme

SI3911DV-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 1.8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 450mV @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 830mW
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
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Número de pieza relacionado

FDG6304P-F169
FDG6304P-F169
$0 $/pedazo
FDC6506P
FDC6506P
$0 $/pedazo
NTMFD4902NFT3G
NTMFD4902NFT3G
$0 $/pedazo
SI3951DV-T1-GE3
DMP58D0SV-7
APTMC60TL11CT3AG
IRF7380PBF
MMDF1N05ER2
MMDF1N05ER2
$0 $/pedazo

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