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SI4210DY-T1-GE3

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SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

no conforme

SI4210DY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
28 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.5A
rds activado (máximo) @ id, vgs 35.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 445pF @ 15V
potencia - máx. 2.7W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

QH8KB6TCR
QH8KB6TCR
$0 $/pedazo
FDC6318P
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$0 $/pedazo
CAR600M12HN6
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$0 $/pedazo
ECH8668-TL-H
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$0 $/pedazo
PMV55ENEA,215
EFC4626R-TR
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$0 $/pedazo
NDS8934

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