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SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

no conforme

SI4288DY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.65600 -
5,000 $0.62520 -
12,500 $0.60320 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.2A
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 580pF @ 20V
potencia - máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

NVMFD5C470NLT1G
NVMFD5C470NLT1G
$0 $/pedazo
BSZ0910NDXTMA1
SQS944ENW-T1_GE3
NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG
$0 $/pedazo
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
$0 $/pedazo
NVMFD5C446NT1G
NVMFD5C446NT1G
$0 $/pedazo
DMN3024LSD-13

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