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SI4401BDY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

no conforme

SI4401BDY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.82246 -
5,000 $0.79392 -
12,500 $0.77835 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8.7A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 14mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

IPD65R380E6ATMA1
DMN1054UCB4-7
FQP16N15
STU2NK100Z
STU2NK100Z
$0 $/pedazo
SI2316DS-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3
STW70N65DM6-4
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/pedazo
2N7002NXAKR
2N7002NXAKR
$0 $/pedazo
APT60M60JLL

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