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SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

SI4590DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL

no conforme

SI4590DY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.41019 -
5,000 $0.38357 -
12,500 $0.37026 -
25,000 $0.36300 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.4A, 2.8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 57mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11.5nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 360pF @ 50V
potencia - máx. 2.4W, 3.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SQJB00EP-T1_BE3
EM6J1T2R
EM6J1T2R
$0 $/pedazo
EPC2221
EPC2221
$0 $/pedazo
MSCSM70AM19CT1AG
DMP2110UFDB-13
RF3S49092SM9A
PMDPB95XNE2X
NX138AKSF
NX138AKSF
$0 $/pedazo

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