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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Active |
tipo feto | N and P-Channel |
característica fet | - |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 3.4A, 2.8A |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 57mOhm @ 2A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2.5V @ 250µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 11.5nC @ 10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 360pF @ 50V |
potencia - máx. | 2.4W, 3.4W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
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