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SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

no conforme

SI4936BDY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.62320 -
5,000 $0.59394 -
12,500 $0.57304 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.9A
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 530pF @ 15V
potencia - máx. 2.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SH8MC5TB1
SH8MC5TB1
$0 $/pedazo
2N7002DWK-7
FDU6670AS
SI4925DDY-T1-GE3
2SK4085LS-CB11
2SK4085LS-CB11
$0 $/pedazo
NX3008NBKSH
NX3008NBKSH
$0 $/pedazo

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