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SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

no conforme

SI4943BDY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.3A
rds activado (máximo) @ id, vgs 19mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 25nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SI4940DY-T1-GE3
AUIRF7319QTR
IRF7309PBF
BSO303PHXUMA1
SI6973DQ-T1-E3
SP8K3FU6TB
SP8K3FU6TB
$0 $/pedazo
2N7002KDWA-TP
SIA922EDJ-T1-GE3

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