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SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

no conforme

SI4967DY-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
rds activado (máximo) @ id, vgs 23mOhm @ 7.5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 450mV @ 250µA (Min)
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
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Número de pieza relacionado

SI6943BDQ-T1-GE3
FDMS3660AS
FDMS3660AS
$0 $/pedazo
SP8M8FD5TB1
IRF8910PBF
BSD235C L6327
SI4230DY-T1-GE3
NTMD4N03R2
NTMD4N03R2
$0 $/pedazo

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