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SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

compliant

SI5509DC-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.1A, 4.8A
rds activado (máximo) @ id, vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 6.6nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 455pF @ 10V
potencia - máx. 4.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

NTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G
$0 $/pedazo
SIZ914DT-T1-GE3
SH8K15TB1
SH8K15TB1
$0 $/pedazo
IRF9952PBF
SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB
$0 $/pedazo
MP6K31TCR
MP6K31TCR
$0 $/pedazo
SQ4946AEY-T1_BE3
IRF9952
IRF9952
$0 $/pedazo
SI9955DY
SI9955DY
$0 $/pedazo

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