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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

compliant

SI5513CDC-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.24368 -
6,000 $0.22883 -
15,000 $0.21398 -
30,000 $0.20358 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A, 3.7A
rds activado (máximo) @ id, vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 4.2nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 285pF @ 10V
potencia - máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

SIZ260DT-T1-GE3
SQJ560EP-T1_GE3
IRF9358TRPBF
CPH6424-TL-E
CPH6424-TL-E
$0 $/pedazo
FDC6401N
FDC6401N
$0 $/pedazo
SP8K2TB
SP8K2TB
$0 $/pedazo
NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G
$0 $/pedazo
DMN2991UDA-7B
FDPC8013S
FDPC8013S
$0 $/pedazo
IRL6297SDTRPBF

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