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SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

no conforme

SI5515DC-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.4A, 3A
rds activado (máximo) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/pedazo
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/pedazo
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/pedazo
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215
SI6983DQ-T1-E3
SI6975DQ-T1-GE3
DMN5L06VK-13

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