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SI5905BDC-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

no conforme

SI5905BDC-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 8V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A
rds activado (máximo) @ id, vgs 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11nC @ 8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 350pF @ 4V
potencia - máx. 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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FDS8958B_G
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$0 $/pedazo
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PMGD400UN,115
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$0 $/pedazo
NTJD2152PT4
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$0 $/pedazo

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