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SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5908DC-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
1084 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.4A
rds activado (máximo) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

MCCD2004-TP
FDS3601
NTZD3152PT1H
NTZD3152PT1H
$0 $/pedazo
CSD87313DMS
CSD87313DMS
$0 $/pedazo
SIA906EDJ-T1-GE3
RM2020ES9
RM2020ES9
$0 $/pedazo

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