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SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

no conforme

SI5920DC-T1-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 8V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4A
rds activado (máximo) @ id, vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 680pF @ 4V
potencia - máx. 3.12W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
paquete de dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
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Número de pieza relacionado

IRFH4255DTRPBF
IRF8910GTRPBF
BSO200N03
TT8K1TR
TT8K1TR
$0 $/pedazo
MCH6601-TL-E
MCH6601-TL-E
$0 $/pedazo
VEC2315-TL-H
VEC2315-TL-H
$0 $/pedazo

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