Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | P-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 20 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 1V @ 250µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 168 nC @ 8 V |
| vgs (máximo) | ±8V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 5875 pF @ 10 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
| paquete / caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.