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SI6562CDQ-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

SOT-23

no conforme

SI6562CDQ-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.48380 -
6,000 $0.46109 -
15,000 $0.44486 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.7A, 6.1A
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 850pF @ 10V
potencia - máx. 1.6W, 1.7W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor 8-TSSOP
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Número de pieza relacionado

SI3900DV-T1-E3
EMH2408-TL-H
EMH2408-TL-H
$0 $/pedazo
SQ3585EV-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_BE3
2N7002DWQ-13-F
NTHD5903T1G
NTHD5903T1G
$0 $/pedazo

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