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SI7615CDN-T1-GE3

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SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

compliant

SI7615CDN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.20034 -
6,000 $0.18741 -
15,000 $0.17449 -
30,000 $0.16544 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 9mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3860 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
paquete / caja PowerPAK® 1212-8
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Número de pieza relacionado

FDA2712
NTGS3447PT1G
NTGS3447PT1G
$0 $/pedazo
SISA12ADN-T1-GE3
NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/pedazo
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/pedazo
BSO130P03SHXUMA1
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/pedazo

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