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SI7850DP-T1-GE3

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SI7850DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

compliant

SI7850DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.84354 -
6,000 $0.81427 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

IPB60R280P6ATMA1
NXV65UPR
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FQB8N60CTM
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STL130N8F7
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$0 $/pedazo
FDD24AN06LA0
SIR876BDP-T1-RE3
NVTFS4C25NTAG
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$0 $/pedazo
IXTH52N65X
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