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SI7892BDP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

compliant

SI7892BDP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.80138 -
6,000 $0.77357 -
1664 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 15A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3775 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

SQD07N25-350H_GE3
BUK768R1-40E,118
FQP630
IXTA220N04T2-TRL
IXTA220N04T2-TRL
$0 $/pedazo
IRL40B209
R6046FNZ1C9
FDA50N50
FDA50N50
$0 $/pedazo
NTD4909N-35G
NTD4909N-35G
$0 $/pedazo
IXTH3N200P3HV
IXTH3N200P3HV
$0 $/pedazo

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