Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

no conforme

SI7898DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.96859 -
6,000 $0.93498 -
2508 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/pedazo
FQA19N60
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/pedazo
SI2323DS-T1-BE3
SQJ416EP-T1_BE3
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/pedazo
SIHD7N60ET4-GE3

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.