Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

no conforme

SI7998DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.75440 -
6,000 $0.71898 -
15,000 $0.69368 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 25A, 30A
rds activado (máximo) @ id, vgs 9.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 26nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1100pF @ 15V
potencia - máx. 22W, 40W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® SO-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8 Dual
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

SI5504BDC-T1-E3
MCH6605-TL-E
MCH6605-TL-E
$0 $/pedazo
NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
$0 $/pedazo
US6M2TR
US6M2TR
$0 $/pedazo
SH8M24TB1
SH8M24TB1
$0 $/pedazo
FDB12N50UTM
DMN33D8LDWQ-7

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.