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SI8900EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

no conforme

SI8900EDB-T2-E1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $1.71930 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual) Common Drain
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5.4A
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 1.1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
potencia - máx. 1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 10-UFBGA, CSPBGA
paquete de dispositivo del proveedor 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
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Número de pieza relacionado

SI4228DY-T1-E3
FDMS3660S-F121
FDMS3660S-F121
$0 $/pedazo
IRF7325PBF
SIZ702DT-T1-GE3
IRF5850TRPBF
SLA5085
SLA5085
$0 $/pedazo
IRF7379TR

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