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SI9407BDY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

no conforme

SI9407BDY-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.43739 -
5,000 $0.41685 -
12,500 $0.40218 -
25,000 $0.40005 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 120mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 600 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número de pieza relacionado

SI7868ADP-T1-E3
TP2104K1-G
NTA4153NT1G
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$0 $/pedazo
R6008FNX
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$0 $/pedazo
RS3E075ATTB1
NTP125N65S3H
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$0 $/pedazo
IPS50R520CP
SIR5802DP-T1-RE3
NTB23N03R
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$0 $/pedazo

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