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SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

no conforme

SIA462DJ-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.16245 -
6,000 $0.15255 -
15,000 $0.14265 -
30,000 $0.13572 -
75,000 $0.13500 -
1 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 570 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Single
paquete / caja PowerPAK® SC-70-6
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Número de pieza relacionado

PSMN3R3-80ES,127
PSMN3R3-80ES,127
$0 $/pedazo
IRF6620TRPBF
FDMS2506SDC
CSD17305Q5A
CSD17305Q5A
$0 $/pedazo
IXTA110N055T2-TRL
IXTA110N055T2-TRL
$0 $/pedazo
UF3C065080B7S
UF3C065080B7S
$0 $/pedazo
SIHB125N60EF-GE3
IXFP72N30X3M
IXFP72N30X3M
$0 $/pedazo

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