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SIA477EDJT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

no conforme

SIA477EDJT-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.18772 -
6,000 $0.17628 -
15,000 $0.16484 -
30,000 $0.15683 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 12 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 1.8V, 4.5V
rds activado (máximo) @ id, vgs 13mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±8V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3050 pF @ 6 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Single
paquete / caja PowerPAK® SC-70-6
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Número de pieza relacionado

IXFH96N20P
IXFH96N20P
$0 $/pedazo
SI7148DP-T1-E3
EPC2069
EPC2069
$0 $/pedazo
SSP2N60B
ZVN4210ASTZ
BUK9Y21-40E,115

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