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SIB4316EDK-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

no conforme

SIB4316EDK-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
50 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.5A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 57mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 1.4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-75-6
paquete / caja PowerPAK® SC-75-6
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Número de pieza relacionado

IRFR9120
IRFR9120
$0 $/pedazo
PXN4R7-30QLJ
NVTFS4C13NTAG
NVTFS4C13NTAG
$0 $/pedazo
IXTA2N100
IXTA2N100
$0 $/pedazo
IPB03N03LB G
DMT6009LCT
CSD17585F5T
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$0 $/pedazo

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