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SIHA12N50E-E3

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SIHA12N50E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220

no conforme

SIHA12N50E-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.03395 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 10.5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 886 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220 Full Pack
paquete / caja TO-220-3 Full Pack
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Número de pieza relacionado

NVMFS5C430NWFAFT1G
NVMFS5C430NWFAFT1G
$0 $/pedazo
SIHFR9024TR-GE3
IRFR420TRRPBF
STP220N6F7
STP220N6F7
$0 $/pedazo
IPU95R3K7P7AKMA1
HUFA75623S3ST
IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF
$0 $/pedazo
STD95N2LH5
STD95N2LH5
$0 $/pedazo
FDC645N
FDC645N
$0 $/pedazo

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