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SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

SIHA22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 600V

compliant

SIHA22N60AE-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.79000 $3.79
500 $3.7521 $1876.05
1000 $3.7142 $3714.2
1500 $3.6763 $5514.45
2000 $3.6384 $7276.8
2500 $3.6005 $9001.25
1000 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1451 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220 Full Pack
paquete / caja TO-220-3 Full Pack
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Número de pieza relacionado

FQD5N60CTM-WS
FQD5N60CTM-WS
$0 $/pedazo
NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1
$0 $/pedazo
BVSS84LT1G
BVSS84LT1G
$0 $/pedazo
RD3P175SNFRATL
AUIRFN8405TR
CSD23201W10
CSD23201W10
$0 $/pedazo
STF11NM50N
STF11NM50N
$0 $/pedazo
SQJA92EP-T1_GE3
STP141NF55
STP141NF55
$0 $/pedazo

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