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SIHB120N60E-GE3

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SIHB120N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

compliant

SIHB120N60E-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.80000 $5.8
10 $5.17800 $51.78
100 $4.24620 $424.62
500 $3.43836 $1719.18
1,000 $2.89982 -
3,000 $2.75483 -
5 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1562 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

STL66N3LLH5
IRF6613TRPBF
DMN2020LSN-7
STB7ANM60N
STB7ANM60N
$0 $/pedazo
STF7N90K5
STF7N90K5
$0 $/pedazo
IXFX150N30P3
IXFX150N30P3
$0 $/pedazo
SI2308CDS-T1-GE3
SI6415DQ-T1-BE3
APT12057LFLLG

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