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SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

compliant

SIHB22N65E-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.33000 $5.33
10 $4.75800 $47.58
100 $3.90120 $390.12
500 $3.15898 $1579.49
1,000 $2.66420 -
3,000 $2.53099 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2415 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

5LP01SS-TL-H
5LP01SS-TL-H
$0 $/pedazo
SPA11N80C3XKSA1
SI7113DN-T1-E3
NTLUS4195PZTAG
NTLUS4195PZTAG
$0 $/pedazo
SI4436DY-T1-GE3
STW43N60DM2
ZXMP6A18KTC

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