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SIHB22N65E-T1-GE3

SIHB22N65E-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 650V

compliant

SIHB22N65E-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $5.04000 $5.04
500 $4.9896 $2494.8
1000 $4.9392 $4939.2
1500 $4.8888 $7333.2
2000 $4.8384 $9676.8
2500 $4.788 $11970
797 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2415 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

AUIRFS3107-7TRL
NTMFS4C025NT3G
NTMFS4C025NT3G
$0 $/pedazo
ISS55EP06LMXTSA1
HUFA75309T3ST
STP8NK100Z
STP8NK100Z
$0 $/pedazo
RS1E350GNTB
GKI03080
GKI03080
$0 $/pedazo
SIHH28N60E-T1-GE3
BUK9E3R2-40E,127
BUK9E3R2-40E,127
$0 $/pedazo

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