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SIHFS9N60A-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

compliant

SIHFS9N60A-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.10215 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

NVMFS6H864NLT1G
NVMFS6H864NLT1G
$0 $/pedazo
TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA
$0 $/pedazo
CSD17313Q2T
CSD17313Q2T
$0 $/pedazo
SIHP24N80AEF-GE3
IXFP60N25X3M
IXFP60N25X3M
$0 $/pedazo
IPA65R1K5CEXKSA1
DMP2045UQ-13
FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N
$0 $/pedazo

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