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SIHP050N60E-GE3

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SIHP050N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB

no conforme

SIHP050N60E-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $10.60000 $10.6
10 $9.57900 $95.79
100 $7.94220 $794.22
500 $6.71460 $3357.3
1,000 $5.89620 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 51A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 50mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3459 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

APT5010LFLLG
PSMN4R4-80BS,118
SI3473CDV-T1-E3
FDMS7656AS
FDMS7656AS
$0 $/pedazo
CPH6429-TL-E
CPH6429-TL-E
$0 $/pedazo
SIHJ6N65E-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3
FDPF8N60ZUT
FDPF8N60ZUT
$0 $/pedazo
BSS84T116
BSS84T116
$0 $/pedazo
SI7846DP-T1-GE3

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