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SIHP12N60E-E3

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SIHP12N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

compliant

SIHP12N60E-E3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.06000 $3.06
10 $2.76700 $27.67
100 $2.24030 $224.03
500 $1.76176 $880.88
1,000 $1.47465 -
3,000 $1.37895 -
5,000 $1.33110 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 12A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 937 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

RQ5E040AJTCL
IPP60R520E6XKSA1
NVTFS4C05NTAG
NVTFS4C05NTAG
$0 $/pedazo
RTQ035N03TR
SI2333DDS-T1-GE3
SIHP4N80E-BE3

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