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SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

compliant

SIHP21N80AE-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $4.81000 $4.81
10 $4.29600 $42.96
100 $3.52230 $352.23
500 $2.85222 $1426.11
1,000 $2.40548 -
3,000 $2.28521 -
993 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 17.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 235mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1388 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

FW905-TL-E
FW905-TL-E
$0 $/pedazo
SI3127DV-T1-GE3
IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
$0 $/pedazo
PSMN4R8-100PSEQ
SI6415DQ-T1-E3
STP25N10F7
STP25N10F7
$0 $/pedazo
C3M0065090J-TR
2N7002Q-7-F

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