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SIHP21N80AEF-GE3

SIHP21N80AEF-GE3

SIHP21N80AEF-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

SOT-23

no conforme

SIHP21N80AEF-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.00000 $3
500 $2.97 $1485
1000 $2.94 $2940
1500 $2.91 $4365
2000 $2.88 $5760
2500 $2.85 $7125
1015 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 800 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 250mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1511 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/pedazo
DMN3051L-7
SPW17N80C3FKSA1
IRF540SPBF
IRF540SPBF
$0 $/pedazo
MMBF2201NT1
MMBF2201NT1
$0 $/pedazo
IXFX140N25T
IXFX140N25T
$0 $/pedazo
SI2318DS-T1-E3
IRFB4615PBF
IRF7815TRPBF

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