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SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

compliant

SIHP8N50D-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.56000 $1.56
10 $1.38100 $13.81
100 $1.09150 $109.15
500 $0.84646 $423.23
1,000 $0.66825 -
3,000 $0.62370 -
5,000 $0.59252 -
296 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 500 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 527 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

NTD4810N-35G
NTD4810N-35G
$0 $/pedazo
STD120N4F6
STD120N4F6
$0 $/pedazo
FQP2N80
RF4L040ATTCR
IRLZ24PBF-BE3
SIHFR430ATR-GE3
SI4421DY-T1-E3
IXTA62N15P-TRL
IXTA62N15P-TRL
$0 $/pedazo

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