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SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK

compliant

SIJ186DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.6V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1710 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

AUIRFSL8407
SISH892BDN-T1-GE3
BUK6Y10-30PX
DMT4005SCT
IPD60R650CEAUMA1
IPA80R360P7XKSA1
SI8487DB-T1-E1
RV2C010UNT2L
BSC050NE2LSATMA1
AUIRF4104

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