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SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR401DP-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 2.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 1.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 9080 pF @ 10 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

IPD65R600C6BTMA1
APT26M100JCU3
NVD5484NLT4G
NVD5484NLT4G
$0 $/pedazo
SPW11N60CFD
RD3H200SNFRATL
FQI50N06TU
IPA80R1K0CEXKSA2
DMP6110SFDFQ-13

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