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SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SIR510DP-T1-RE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $2.35000 $2.35
500 $2.3265 $1163.25
1000 $2.303 $2303
1500 $2.2795 $3419.25
2000 $2.256 $4512
2500 $2.2325 $5581.25
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 31A (Ta), 126A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 7.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4980 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
paquete / caja PowerPAK® SO-8
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Número de pieza relacionado

FDPF20N50T
FDPF20N50T
$0 $/pedazo
IPD80R4K5P7ATMA1
IRFH5302TRPBF
FDFMA2P029Z-F106
FDFMA2P029Z-F106
$0 $/pedazo
APT20M22JVR
BSS138PW,115
FQPF4N60
NTMS4935NR2G
NTMS4935NR2G
$0 $/pedazo

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