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SIS903DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

no conforme

SIS903DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.46494 -
6,000 $0.44311 -
15,000 $0.42752 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 P-Channel (Dual)
característica fet Standard
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 20V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 6A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 1V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 42nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2565pF @ 10V
potencia - máx. 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja PowerPAK® 1212-8 Dual
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8 Dual
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