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SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK

compliant

SISA01DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.40053 -
6,000 $0.37454 -
15,000 $0.36154 -
30,000 $0.35445 -
10 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (máximo) +16V, -20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3490 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
paquete / caja PowerPAK® 1212-8
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Número de pieza relacionado

IRFS3107TRLPBF
APT8020JFLL
STL16N65M2
STL16N65M2
$0 $/pedazo
FQA170N06
FQA170N06
$0 $/pedazo
SIHG14N50D-E3
DMT10H010LSS-13
E3M0280090D
E3M0280090D
$0 $/pedazo

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