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SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

no conforme

SISA16DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.23646 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16A (Ta)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.3V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2060 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
paquete / caja PowerPAK® 1212-8
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Número de pieza relacionado

IPI50R199CPXKSA1
IRF7495TRPBF
STH12N120K5-2
IXTQ450P2
IXTQ450P2
$0 $/pedazo
C3M0120065D
C3M0120065D
$0 $/pedazo
RCX120N20
RCX120N20
$0 $/pedazo

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