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SISHA04DN-T1-GE3

SISHA04DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK

compliant

SISHA04DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máximo) +20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3595 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH
paquete / caja PowerPAK® 1212-8SH
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IRLR014TRLPBF
FCMT180N65S3
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$0 $/pedazo
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RCX330N25
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STP70NF03L
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$0 $/pedazo
SQD90P04-9M4L_GE3
IXTP86N20T
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$0 $/pedazo
STF7N60M2
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STF9N60M2
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