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SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK

compliant

SISS04DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.73062 -
6,000 $0.69632 -
15,000 $0.67181 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (máximo) +16V, -12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4460 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
paquete / caja PowerPAK® 1212-8S
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Número de pieza relacionado

HUF75343G3
BUK7222-55A,118
SIDR392DP-T1-GE3
FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
$0 $/pedazo
STP13NM60N
STP13NM60N
$0 $/pedazo
IXFR18N90P
IXFR18N90P
$0 $/pedazo
SQ2308CES-T1_BE3
SUD40N08-16-E3
FDS7088N7

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