Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SISS5710DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.79000 $1.79
500 $1.7721 $886.05
1000 $1.7542 $1754.2
1500 $1.7363 $2604.45
2000 $1.7184 $3436.8
2500 $1.7005 $4251.25
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 7.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 31.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 770 pF @ 75 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
paquete / caja PowerPAK® 1212-8S
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

STW35N65DM2
APT1204R7BFLLG
BSZ0902NSATMA1
IPA060N06NXKSA1
FDMS86310
FDMS86310
$0 $/pedazo
PMV20XNEAR
PMV20XNEAR
$0 $/pedazo
SIE882DF-T1-GE3
SQJQ480E-T1_GE3

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.