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SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

no conforme

SISS64DN-T1-GE3 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máximo) +20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3420 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
paquete / caja PowerPAK® 1212-8S
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Número de pieza relacionado

DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13
SIDR870ADP-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
DMN1150UFB-7B
STP210N75F6
SIHB105N60EF-GE3
SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/pedazo
CSD16322Q5C
CSD16322Q5C
$0 $/pedazo

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